Datasheet > 暂无类别数据> MRF19120S

MRF19120S

更新时间： 2024-11-14 22:45:59

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管功效放大器
页数	文件大小	规格书
12页	349K
描述
RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MRF19120S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	NI-1230S, CASE 375E-03, 5 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH EFFICIENCY	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF19120S 数据手册

ꢒ ꢓꢎ ꢓ ꢀꢓ ꢔꢕ

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Order this document

by MRF19120/D

The RF Sub–Micron MOSFET Line

ꢀ ꢁ ꢂ ꢃꢄꢅ ꢆ ꢁꢇꢅ ꢈꢉ ꢊ ꢋꢋ ꢅ ꢌꢍ ꢎꢆ ꢏꢐ ꢑ ꢇꢑ ꢍꢃ ꢆ ꢑ

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

ꢒ

ꢀ

ꢁ

ꢖ

ꢗ

ꢖ

ꢘ

ꢙ

ꢒ

ꢀ

ꢁ

ꢖ

ꢗ

ꢖ

ꢘ

ꢙ

ꢚ

Designed for CDMA base station applications with frequencies from 1930 to

1990 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applica-

tions. To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio and WLL applications.

1990 MHz, 120 W, 26 V

LATERAL N–CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• CDMA Performance @ 1990 MHz, 26 Volts

IS–97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13

885 kHz — –47 dBc @ 30 kHz BW

1.25 MHz — –55 dBc @ 12.5 kHz BW

2.25 MHz — –55 dBc @ 1 MHz BW

Output Power — 15 Watts (Avg.)

Power Gain — 11.7 dB

Efficiency — 16%

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency, High Linearity

• Integrated ESD Protection

CASE 375D–04, STYLE 1

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

NI–1230

MRF19120

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1990 MHz, 120 Watts (CW)

Output Power

• S–Parameter Characterization at High Bias Levels

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

CASE 375E–03, STYLE 1

NI–1230S

MRF19120S

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

–0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

389

2.22

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +150

200

°C

stg

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

1 (Minimum)

M3 (Minimum)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.45

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 5

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF19120 MRF19120S

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与MRF19120S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF19125	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19125	MOTOROLA	获取价格	RF Sub-Micron MOSFET Line N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF19125R3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19125S	MOTOROLA	获取价格	RF Sub-Micron MOSFET Line N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF19125SR3	MOTOROLA	获取价格	RF Sub-Micron MOSFET Line N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF19125SR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF1946	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF1946	MOTOROLA	获取价格	RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON
MRF1946A	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF1946A	MOTOROLA	获取价格	RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

与MRF19120S相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

6
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

3
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

29
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MRF19120S

MRF19120S 技术参数

MRF19120S 数据手册

与MRF19120S相关器件

与MRF19120S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MRF19120S

MRF19120S 技术参数

MRF19120S 数据手册

与MRF19120S相关器件

与MRF19120S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？