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MRF19085S

更新时间： 2024-11-15 20:02:23
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 156K
描述
L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 465A-06, 3 PIN

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MRF19085S 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.04外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFP-F2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：273 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF19085S 数据手册

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M OT O RO LA  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF MOSFET Line  
MR F 190 85  
Tr a ns is to r s  
MR F 1908 5R 3  
MR F 19085 S  
R
F
P
o
w
e
r
F
i
e
l
d
E
f
f
e
c
t
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs  
Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from  
1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier  
applications.  
MR F 1908 5S R 3  
MR F 1908 5L S  
•
Typical 2–Carrier N–CDMA Performance for VDD = 26 Volts,  
IDQ = 850 mA, Pout = 18 Watts Avg., f1 = 1960 MHz, f2 = 1962.5 MHz  
IS–95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13)  
1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. Adjacent Channels Measured  
over a 30 kHz Bandwidth at f1 –885 Khz and f2 +885 kHz. Distortion  
Products Measured over 1.2288 MHz Bandwidth at f1 –2.5 MHz and  
f2 +2.5 MHz. Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.  
Output Power — 18 Watts Avg.  
M
R
F
1
9
0
8
5
L
S
R
3
1990 MHz, 90 W, 26 V  
LATERAL N–CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
Power Gain — 13.0 dB  
Efficiency — 23%  
ACPR — –51 dB  
IM3 — –36.5 dBc  
•
•
•
•
•
Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use  
High Gain, High Efficiency and High Linearity  
Integrated ESD Protection  
Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness  
Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 90 Watts (CW)  
Output Power  
CASE 465–06, STYLE 1  
(NI–780)  
•
•
•
Excellent Thermal Stability  
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters  
(MRF19085)  
Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch  
Reel.  
•
Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates  
40µ″ Nominal.  
CASE 465A–06, STYLE 1  
(NI–780S)  
(MRF19085S, MRF19085LS)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain–Source Voltage  
Gate–Source Voltage  
V
DSS  
V
GS  
+15, –0.5  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
D
273  
Watts  
C
Derate above 25°C  
1.56  
W/°C  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
–65 to +200  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS  
Test Conditions  
Class  
Human Body Model  
Machine Model  
1 (Minimum)  
M3 (Minimum)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.64  
°C/W  
θ
JC  
NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 3  
MOTOROLA WIRELESS  
RF PRODUCT DEVICE DATA  
MRF19085 MRF19085R3 MRF19085S MRF19085SR3 MRF19085LS MRF19085LSR3  
5.2–255  
12345678

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