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MRF1570NT1_08

更新时间： 2022-04-23 23:00:11
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飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
页数 文件大小 规格书
23页 615K
描述
RF Power Field Effect Transistors

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MRF1570NT1_08 数据手册

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TYPICAL CHARACTERISTICS, 135 - 175 MHz  
18  
17  
16  
15  
14  
70  
155 MHz  
V
= 12.5 Vdc  
DD  
155 MHz  
60  
50  
175 MHz  
135 MHz  
175 MHz  
135 MHz  
40  
30  
20  
13  
12  
V
= 12.5 Vdc  
DD  
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90  
10  
20  
30  
40  
P , OUTPUT POWER (WATTS)  
out  
50  
60  
70  
80  
90  
P
, OUTPUT POWER (WATTS)  
out  
Figure 5. Gain versus Output Power  
Figure 6. Drain Efficiency versus Output Power  
90  
100  
80  
155 MHz  
80  
70  
135 MHz  
175 MHz  
135 MHz  
60  
40  
175 MHz  
155 MHz  
60  
50  
20  
0
V
P
= 12.5 Vdc  
= 36 dBm  
V
P
= 12.5 Vdc  
= 36 dBm  
DD  
DD  
in  
in  
400  
600  
800  
1000  
1200  
1400  
1600  
400  
600  
800  
I , BIASING CURRENT (mA)  
DQ  
1000  
1200  
1400  
1600  
I
, BIASING CURRENT (mA)  
DQ  
Figure 7. Output Power versus Biasing Current  
Figure 8. Drain Efficiency versus Biasing Current  
100  
80  
100  
80  
155 MHz  
135 MHz  
175 MHz  
135 MHz  
175 MHz  
155 MHz  
60  
60  
40  
40  
20  
0
20  
0
P
I
= 36 dBm  
= 800 mA  
P
I
= 36 dBm  
= 800 mA  
in  
in  
DQ  
DQ  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
10  
11  
12  
V , SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)  
DD  
13  
14  
15  
V
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)  
DD  
Figure 9. Output Power versus Supply Voltage  
Figure 10. Drain Efficiency versus Supply Voltage  
MRF1570NT1 MRF1570FNT1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
5
12345678...23

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