是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.75 | 风险等级: | 5.76 |
外壳连接: | SOURCE | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 105 V | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 225 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMRF1020-04N | NXP |
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RF Power LDMOS Transistors | |
MMRF1020-04NR3 | NXP |
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RF Power LDMOS Transistors | |
MMRF1050H | NXP |
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Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1050 W Peak over 850-950 MHz, 50 V | |
MMRF1304GN | NXP |
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Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8 - 2000 MHz, 25 W, 50 V | |
MMRF1304GNR1 | NXP |
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Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8 - 2000 MHz, 25 W, 50 V | |
MMRF1304LR5 | NXP |
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Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-2000 MHz, 25 W, 50 V | |
MMRF1304N | NXP |
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Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8 - 2000 MHz, 25 W, 50 V | |
MMRF1304NR1 | NXP |
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Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8 - 2000 MHz, 25 W, 50 V | |
MMRF1305H | NXP |
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RF Power LDMOS Transistors | |
MMRF1305HR5 | NXP |
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RF Power LDMOS Transistors |