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MMRF1020-04GNR3

更新时间： 2024-11-18 20:08:43

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
20页	497K
描述
RF POWER, FET

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MMRF1020-04GNR3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.76
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	105 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	3
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	225 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MMRF1020-04GNR3 数据手册

Document Number: MMRF1020--04N

Rev. 0, 2/2014

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power LDMOS Transistors

MMRF1020--04NR3

MMRF1020--04GNR3

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

These 100 W symmetrical Doherty RF power LDMOS transistors are

designed for cellular base station applications covering the frequency range

of 720 to 960 MHz. The transistors are also suitable for wideband power

amplifier applications from 600 to 1000 MHz and saturated power levels up to

500 watts.

720–960 MHz, 100 W AVG., 48 V

RF POWER LDMOS



Typical Doherty Single--Carrier W--CDMA Performance: V_DD= 48 Vdc,

_DQA= 860 mA, V_GSB= 0.9 Vdc, P_out= 100 W Avg., Input Signal

PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

TRANSISTORS



Output PAR

(dB)

ACPR

(dBc)

Frequency

920 MHz

940 MHz

960 MHz

(dB)

19.5

19.2

(%)

48.5

49.5

48.0

7.2

7.1

7.0

–29.2

–32.0

–35.7

OM--780--4L

PLASTIC

MMRF1020--04NR3

Features



Production Tested in a Symmetrical Doherty Configuration

Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C

Operation

OM--780G--4L

PLASTIC

MMRF1020--04GNR3



Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems

In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 32 mm Tape Width, 13--inch Reel.

Carrier

RF /V

outA DSA

inA GSA

RF /V

inB GSB

RF /V

outB DSB

Peaking

(Top View)

Note: Exposed backside of the package is

the source terminal for the transistors.

Figure 1. Pin Connections

MMRF1020--04NR3 MMRF1020--04GNR3

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMRF1020-04N	NXP	获取价格	RF Power LDMOS Transistors
MMRF1020-04NR3	NXP	获取价格	RF Power LDMOS Transistors
MMRF1050H	NXP	获取价格	Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1050 W Peak over 850-950 MHz, 50 V
MMRF1304GN	NXP	获取价格	Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8 - 2000 MHz, 25 W, 50 V
MMRF1304GNR1	NXP	获取价格	Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8 - 2000 MHz, 25 W, 50 V
MMRF1304LR5	NXP	获取价格	Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-2000 MHz, 25 W, 50 V
MMRF1304N	NXP	获取价格	Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8 - 2000 MHz, 25 W, 50 V
MMRF1304NR1	NXP	获取价格	Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8 - 2000 MHz, 25 W, 50 V
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