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MMRF1304LR5

更新时间： 2024-11-21 20:58:11

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恩智浦 - NXP		/
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12页	380K
描述
Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-2000 MHz, 25 W, 50 V

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MMRF1304LR5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.76
峰值回流温度（摄氏度）：	260	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

MMRF1304LR5 数据手册

Document Number: MMRF1304L

Rev. 0, 12/2013

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power LDMOS Transistor

High Ruggedness N--Channel

Enhancement--Mode Lateral MOSFET

MMRF1304LR5

RF power transistor suitable for both narrowband and broadband CW or

pulse applications operating at frequencies from 1.8 to 2000 MHz, such as

military radio communications and radar. This device is fabricated using

Freescale’s enhanced ruggedness platform and is suitable for use in

applications where high VSWRs are encountered.

1.8--2000 MHz, 25 W, 50 V

WIDEBAND

Typical Performance: V_DD= 50 Vdc

RF POWER LDMOS TRANSISTOR

(W)

Frequency

(MHz)

(dB)



(%)

IMD

(dBc)

out

Signal Type

(1,3)

1.8--30

Two--Tone

(10 kHz spacing)

25 PEP

25.0

50.0

-- 2 8

-- 3 2

—

(2,3)

30--512

Two--Tone

(200 kHz spacing)

25 PEP

25 Peak

17.3

25.9

32.0

74.0

(4)

512

Pulse

(100 sec, 20%

Duty Cycle)

N I -- 3 6 0 -- 2

(4)

512

26.0

75.0

—

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency

Test

(MHz)

Signal Type

VSWR

(W)

Voltage

Result

(1)

>65:1

at all Phase

Angles

No Device

Degradation

0.11

(3 dB

Overdrive)

Gate

Drain

(2)

512

0.95

(3 dB

Overdrive)

(4)

512

Pulse

(100 sec, 20%

Duty Cycle)

0.14 Peak

(3 dB

Overdrive)

(Top View)

Note: The backside of the package is the

source terminal for the transistor.

(4)

512

0.14

(3 dB

Overdrive)

Figure 1. Pin Connections

1. Measured in 1.8--30 MHz broadband reference circuit.

2. Measured in 30--512 MHz broadband reference circuit.

3. The values shown are the minimum measured performance numbers across the

indicated frequency range.

4. Measured in 512 MHz narrowband test circuit.

Features



Wide Operating Frequency Range

Extreme Ruggedness

Unmatched, Capable of Very Broadband Operation

Integrated Stability Enhancements

Low Thermal Resistance

Extended ESD Protection Circuit

In Tape and Reel. R5 Suffix = 50 Units, 32 mm Tape Width, 13--inch Reel.

MMRF1304LR5

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.

12 3 4 5 6 7...12

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