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MMBTA28-T PDF预览

MMBTA28-T

更新时间： 2024-11-13 21:19:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
4页 489K
描述
Transistor

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MMBTA28-T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

MMBTA28-T 数据手册

 浏览型号MMBTA28-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBTA28-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBTA28-T的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMBTA28  
Micro Commercial Components  
Features  
·
·
·
Ideal for Medium Power Amplification and Switching  
High Current Gain  
Εpitaxial Planar Die Construction  
NPN Surface Mount  
Darlington Transistor  
•
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
SOT-23  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
A
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
D
OFF CHARACTERISTICS  
C
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
80.0  
80.0  
12.0  
Vdc  
B
C
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100mAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100mAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=60Vdc, IE=0)  
Vdc  
Vdc  
nA  
E
B
F
E
100  
100  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
nA  
H
G
J
(VEB=10Vdc, IC=0)  
ON CHARACTERISTICS  
k
hFE  
DC Current Gain*  
DIMENSIONS  
MM  
(IC=10mAdc, VCE=5Vdc)  
(IC=100mAdc, VCE=5Vdc)  
10,000  
10,000  
INCHES  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.118  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.043  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.30  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.90  
MAX  
3.00  
2.50  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
NOTE  
.110  
.090  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=100mAdc, IB=100uAdc)  
1.5  
2.0  
Vdc  
F
G
H
J
.100  
1.10  
.180  
.51  
VBE(sat)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=100mAdc,VCE=5.0v)  
Vdc  
.085  
.37  
K
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
Suggested Solder  
Pad Layout  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=10mAdc, VCE=5.0Vdc, f=100MHz)  
Collector-Emitter Capacitance  
(VCB=10Vdec, IE=0, f=1.0MHz)  
125  
MHz  
Ccb  
.031  
.800  
8.0  
pF  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
.035  
.900  
Symbol  
Max  
Unit  
.079  
2.000  
P
Total Device Dissipation FR–5 Board,  
T = 25°C  
A
D
300  
417  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
°C/W  
°C  
q
JA  
.037  
.950  
inches  
mm  
T , T  
J
–55 to +150  
stg  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: 2  
2006/05/13  
1234

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与MMBTA28-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBTA28TFS RECTRON

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 		Package / Case : SOT-346;Mounting Style : SMD/SMT;Power Rating : 0.2 W;Transistor Polarity
MMBTA28TFS-T RECTRON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
MMBTA28-TP-HF MCC

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 		暂无描述
MMBTA29 UTC

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MMBTA42 PANJIT

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 		NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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