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MMBTA42

更新时间： 2023-09-03 20:35:48

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安世 - NEXPERIA		放大器 PC 光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	176K
描述
NPN high-voltage transistorProduction

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MMBTA42 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.01
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

MMBTA42 数据手册

MMBTA42

NPN high-voltage transistor

9 August 2022

Product data sheet

1. General description

NPN high-voltage transistor in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: MMBTA92

2. Features and benefits

•

Low current (max. 100 mA)

•

High voltage (max. 300 V)

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Telephony

Professional communication equipment

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

300

I_C

collector current

DC current gain

100

h_FE

V_CE= 10 V; I_C= 10 mA; T_amb= 25 °C

5. Pinning information

Table 2. Pinning information

Symbol

Description

base

Simplified outline

Graphic symbol

emitter

collector

sym123

SOT23

12 3 4 5 6 7

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