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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBTA42-7-F
MMBTA42-7-F PDF预览

MMBTA42-7-F

更新时间： 2024-02-10 03:01:46
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
3页 109K
描述
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMBTA42-7-F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：0.71Samacsys Confidence：
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：441329
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Undefined or Miscellaneous
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：SOT95P240X110-3N
Samacsys Released Date：2017-01-11 16:09:24Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

MMBTA42-7-F 数据手册

 浏览型号MMBTA42-7-F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBTA42-7-F的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODEL: MMBTA42  
MMBTA42  
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
Complementary PNP Type Available  
(MMBTA92)  
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 4)  
A
SOT-23  
C
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
•
•
•
B
C
TOP VIEW  
E
B
Qualified to AEC-Q101 Standards for High  
Reliability  
D
G
E
H
Mechanical Data  
•
•
K
Case: SOT-23  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: See Diagram  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method  
208  
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed  
over Alloy 42 leadframe).  
Marking (See Page 2): K3M  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
M
G
H
J
J
L
•
•
•
K
L
•
M
α
•
•
•
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Base Voltage  
300  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
300  
6.0  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (Note 1) (Note 3)  
Power Dissipation (Note 1)  
500  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
I
C
300  
P
d
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage and Temperature Range  
417  
R
θJA  
-55 to +150  
T , T  
j
STG  
Electrical Characteristics @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
300  
300  
6.0  
⎯
V
V
⎯
⎯
V
I
I
I
= 100μA, I = 0  
E
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
C
C
E
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
V
V
= 1.0mA, I = 0  
B
V
⎯
= 100μA, I = 0  
C
Collector Cutoff Current  
100  
100  
nA  
nA  
I
V
= 200V, I = 0  
CB E  
CBO  
Collector Cutoff Current  
⎯
I
V
= 6.0V, I = 0  
CE C  
EBO  
ON CHARACTERISTICS (Note 2)  
I
I
= 1.0mA, V = 10V  
CE  
25  
40  
40  
C
DC Current Gain  
⎯
⎯
h
I
C
C
= 10mA, V = 10V  
FE  
CE  
=
30mA, V = 10V  
CE  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base- Emitter Saturation Voltage  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
0.5  
0.9  
V
V
⎯
⎯
V
V
I
I
= 20mA, I = 2.0mA  
B
CE(SAT)  
C
C
= 20mA, I = 2.0mA  
BE(SAT)  
B
3.0  
pF  
⎯
C
cb  
V
= 20V, f = 1.0MHz, I = 0  
CB E  
V
= 20V, I = 10mA,  
f = 100MHz  
CE  
C
Current Gain-Bandwidth Product  
50  
MHz  
⎯
f
T
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
3. When operated under collector-emitter saturation conditions within the safe operating area defined by the thermal resistance rating (R ), power  
JA  
θ
dissipation rating (P ) and power derating curve (figure 1).  
d
4. No purposefully added lead.  
DS30062 Rev. 10 - 2  
1 of 3  
MMBTA42  
© Diodes Incorporated  
www.diodes.com  
123

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MMBTA42-7-F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBTA42-7 DIODES

完全替代

 NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
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 		Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;

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