MMBTA42LT1

更新时间： 2024-11-12 22:54:39

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	155K
描述
High Voltage Transistors

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MMBTA42LT1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	CASE 318-08, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.6
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	基于收集器的最大容量：	3 pF
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	0.225 W
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

MMBTA42LT1 数据手册

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by MMBTA42LT1/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon

COLLECTOR

*Motorola Preferred Device

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

MMBTA42

300

MMBTA43

200

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

CBO

EBO

300

200

Vdc

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

6.0

Vdc

Collector Current — Continuous

DEVICE MARKING

500

mAdc

MMBTA42LT1 = 1D; MMBTA43LT1 = M1E

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

(1)

Total Device Dissipation FR–5 Board,

225

= 25°C

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

(2)

Alumina Substrate,

= 25°C

Derate above 25°C

2.4

417

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

T , T

–55 to +150

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(3)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Vdc

(BR)CEO

(BR)CBO

(BR)EBO

(I = 1.0 mAdc, I = 0)

MMBTA42

MMBTA43

300

200

—

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

Vdc

MMBTA42

MMBTA43

300

200

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

6.0

—

Vdc

Collector Cutoff Current

µAdc

CBO

= 200 Vdc, I = 0)

MMBTA42

MMBTA43

—

0.1

= 160 Vdc, I = 0)

Emitter Cutoff Current

µAdc

EBO

= 6.0 Vdc, I = 0)

MMBTA42

MMBTA43

—

0.1

= 4.0 Vdc, I = 0)

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.

Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1996

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTA42LT1_07	ONSEMI	获取价格	High Voltage Transistor NPN Silicon
MMBTA42LT1G	ATMEL	获取价格	AT90USB1287 (AVR) 64 QFN device (2.7V VCC 5.5V)
MMBTA42LT1G	ONSEMI	获取价格	High Voltage Transistors
MMBTA42LT1G_10	ONSEMI	获取价格	High Voltage Transistors
MMBTA42LT1G_11	ONSEMI	获取价格	High Voltage Transistors
MMBTA42LT1HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
MMBTA42LT1-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
MMBTA42LT1XT	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
MMBTA42LT3	ONSEMI	获取价格	High Voltage NPN Bipolar Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 10000-REEL
MMBTA42LT3G	ONSEMI	获取价格	High Voltage Transistors

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