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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.32 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBTA42LT1 | ONSEMI |
完全替代  |
High Voltage Transistors |
|
| MMBTA42LT3G | ONSEMI |
类似代替 |
High Voltage Transistors |
|
| MMBTA42LT1 | LRC |
功能相似 |
High Voltage Transistors(NPN Silicon) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBTA42LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistors |
|
| MMBTA42Q | DIODES |
获取价格 |
NPN, 300V, 0.5A, SOT23 |
|
| MMBTA42Q | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| MMBTA42-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN high-voltage transistorProduction |
|
| MMBTA42S62Z | TI |
获取价格 |
200mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| MMBTA42T | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-89 |
|
| MMBTA42T | RECTRON |
获取价格 |
Package / Case : SOT-89;Mounting Style : SMD/SMT;Power Rating : 0.35 W;Transistor Polarity |
|
| MMBTA42T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, BIP General Purpose |
|
| MMBTA42-TP | MCC |
获取价格 |
NPN Silicon High Voltage Transistor |
|
| MMBTA42TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, BIP General Purpose |
|
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