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MMBTA43

更新时间： 2024-02-14 16:12:26

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	566K
描述
TRANSISTOR(NPN)

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MMBTA43 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA43 数据手册

MMBTA43

TRANSISTOR(NPN)

SOT–23

FEATURES

 High Voltage Application

 Telephone Application

 Complementary to MMBTA93

MARKING:ABX

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

200

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

200

Collector Current

500

℃/W

℃

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

350

P_C

R_ΘJA

T_j

357

150

Storage Temperature

T_stg

-55～+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_(BR)CBOI_C=0.1mA, I_E=0

V_(BR)CEOI_C=1mA, I_B=0

V_(BR)EBOI_E=0.1mA, I_C=0

200

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

h_FE(1)

h_FE(2)

h_FE(3)

V_CE=10V, I_C=10mA

V_CE=10V, I_C=1mA

DC current gain

V_CE=10V, I_C=30mA

I_C=20mA, I_B=2mA

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

0.5

0.9

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C=20mA, I_B=2mA

V_CE=20V,I_E=10mA, f=100MHz

V_CB=20V, I_E=0, f=1MHz

MHz

C_ob

Collector output capacitance

*Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%.

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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