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MMBTA43LT1

更新时间： 2024-11-04 22:14:27
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
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6页 155K
描述
High Voltage Transistors

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MMBTA43LT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.81
最大集电极电流 (IC)：0.5 A基于收集器的最大容量：4 pF
集电极-发射极最大电压：200 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：0.225 W
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

MMBTA43LT1 数据手册

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by MMBTA42LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
3
*Motorola Preferred Device  
1
BASE  
2
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Symbol  
MMBTA42  
300  
MMBTA43  
200  
Unit  
Vdc  
2
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
300  
200  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
6.0  
6.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
DEVICE MARKING  
I
C
500  
mAdc  
MMBTA42LT1 = 1D; MMBTA43LT1 = M1E  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board,  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
JA  
T , T  
J
–55 to +150  
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(3)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
V
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
MMBTA42  
MMBTA43  
300  
200  
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
Vdc  
MMBTA42  
MMBTA43  
300  
200  
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
6.0  
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 200 Vdc, I = 0)  
MMBTA42  
MMBTA43  
—
—
0.1  
0.1  
E
= 160 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
I
µAdc  
EBO  
(V  
EB  
(V  
EB  
= 6.0 Vdc, I = 0)  
MMBTA42  
MMBTA43  
—
—
0.1  
0.1  
C
= 4.0 Vdc, I = 0)  
C
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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