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MMBTA44

更新时间： 2024-02-06 08:39:31

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管开关光电二极管高压 IOT
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描述
NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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MMBTA44 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA44 数据手册

MMBTA44

NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

Unit: inch (mm)

SOT- 23

POWER

225 mWatts

400 Volts

VOLTAGE

FEATURES

• PNP silicon, planar design

.119(3.00)

.110(2.80)

• Collector-emitter voltage V_CE= 400V

• Collector current I_C= 300mA

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICAL DATA

.083(2.10)

.066(1.70)

.006(.15)

.002(.05)

• Case: SOT-23, Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.008 gram

• Marking: A44

.006(.15)MAX

.020(.50)

.013(.35)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

Symbol

Value

400

Units

Collector - Emitter Voltage

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector - Base Voltage

Emitter - Base Voltage

400

6.0

Collector Current Continuous

300

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

Symbol

P_TOT

Value

225

Units

Max Power Dissipation (Note 1)

Thermal Resistance ,Junction to Ambient

Junction Temperature

R_θJA

T_J

556

^OC/W

^OC

-55 to 150

Storage Temperature

T_STG

^OC

COLLECTOR

Top View

Collector

BASE

Note 1: Transistor mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

Base

Emitter

EMITTER

STAD-JAN.18.2007

PAGE . 1

12 3 4 5

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