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MMBTA44

更新时间： 2024-01-29 22:53:06

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SECOS		晶体晶体管开关光电二极管 IOT
页数	文件大小	规格书
2页	420K
描述
Epitaxial Transistor

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MMBTA44 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA44 数据手册

MMBTA44

NPN Silicon

500V, 0.1A, 350mW

Epitaxial Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

SOT-23

FEATURES



High Voltage Transistor

Top View

C B

MARKING

Product

Marking Code

MMBTA44

SYMBOL

Millimeter

Min. Max.

Millimeter

REF.

Collector

Min.

0.40

0.08

Max.

0.18

0.60

0.20

2.70

2.10

1.20

0.89

1.78

0.30

3.04

2.80

1.60

1.40

2.04

0.50



0.6 REF.

0.85

1.15



Base



Emitter

MAXIMUM RATINGS ^{(at T}= 25°C unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

RATINGS

UNIT

Collector - Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

500

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

400

0.1

Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

Junction, Storage Temperature

P_C

350

℃

T_J, T_STG

150, -55~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T = 25°C unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITIONS

SYMBOL MIN.

TYP. MAX. UNIT

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

I_C=100µA, I_E=0

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

500

I_C=1mA, I_B=0

I_E=10µA, I_C=0

V_CB=400V, I_E=0

V_EB=4V, I_C=0

400

0.1

µA

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

_CE=10V, I_C=1mA

h_FE1

h_FE2

h_FE3

h_FE4

V_CE=10V, I_C=10mA

V_CE=10V, I_C=50mA

V_CE=10V, I_C=100mA

I_C=1mA, I_B=0.1mA

I_C=10mA, I_B=1mA

I_C=50mA, I_B=5mA

I_C=10mA, I_B=1mA

V_CB=20V, I_E=0, f=1MHz

V_EB=0.5V, I_C=0, f=1MHz

200

DC Current Gain

V_CE(sat)1

V_CE(sat)2

V_CE(sat)3

0.4

0.5

0.75

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Output Capacitance

Input Capacitance

V_BE(sat)

C_obo

C_ibo

130

*Pulse test

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

21-Sep-2010 Rev. B

Page 1 of 2

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MMBTA44 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBTA44-TP-HF	MCC	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGE
MMBTA44-TP	MCC	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
MMBTA44	DIOTEC	功能相似	Surface mount High Voltage Transistors

与MMBTA44相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTA44_08	PANJIT	获取价格	NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MMBTA44_10	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
MMBTA44_15	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
MMBTA44_15	WINNERJOIN	获取价格	NPN TRANSISTOR
MMBTA44_15	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
MMBTA44-3_15	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
MMBTA44A	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBTA44-AE3-R	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
MMBTA44F2	YANGJIE	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
MMBTA44-G	COMCHIP	获取价格	NPN TRANSISTOR 200MA 400V SOT-23

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