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MMBTA43L

更新时间： 2024-02-14 10:31:00
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 95K
描述
High Voltage Transistors

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MMBTA43L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
集电极-发射极最大电压：200 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

MMBTA43L 数据手册

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MMBTA42L, SMMBTA42L,  
MMBTA43L  
High Voltage Transistors  
NPN Silicon  
http://onsemi.com  
Features  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
3
Collector−Emitter Voltage  
V
CEO  
Vdc  
MMBTA42, SMMBTA42  
MMBTA43  
300  
200  
1
2
Collector−Base Voltage  
V
Vdc  
Vdc  
CBO  
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
MMBTA42, SMMBTA42  
MMBTA43  
300  
200  
STYLE 6  
Emitter−Base Voltage  
V
EBO  
MMBTA42, SMMBTA42  
MMBTA43  
6.0  
6.0  
MARKING DIAGRAMS  
Collector Current − Continuous  
I
C
500  
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
1D M G  
M1E M G  
G
G
Total Device Dissipation FR−5 Board  
P
D
1
1
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
556  
°C/W  
1D = MMBTA42LT, SMMBTA42L  
M1E = MMBTA43LT  
q
JA  
Total Device Dissipation Alumina  
P
D
M
= Date Code*  
Substrate (Note 2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
q
417  
°C/W  
°C  
JA  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
July, 2012 − Rev. 12  
MMBTA42LT1/D  
 
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBTA43L99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MMBTA43L-AE3-R UTC

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 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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