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MMBTA43

更新时间: 2024-11-12 22:54:39
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管光电二极管高压放大器
页数 文件大小 规格书
2页 70K
描述
NPN (HIGH VOLTAGE TRANSISTOR)

MMBTA43 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:200 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
Base Number Matches:1类别:Diodes
极性:NPNV(BR)CEO (V) min.:200
IC (A):0.5hFE min:50
hFE max:200Condition1_VCE (V):10
Condition1_IC (mA):30VCE (sat) (V):0.4
Condition2_IC (mA):20Condition2_IB (mA):2
fT (MHz) min.:50PD (W) max.:0.35
AEC Qualified:No最高工作温度:150
最低工作温度:-55生命周期:Active
是否无铅:Yes符合Reach:Yes
符合RoHS:YesECCN代码:EAR99
Package Outlines:SOT-23

MMBTA43 数据手册

 浏览型号MMBTA43的Datasheet PDF文件第2页 

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