是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | End Of Life |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.78 |
最大集电极电流 (IC): | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 300 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 40 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 70 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBTA42LT3 | ONSEMI |
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High Voltage NPN Bipolar Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 10000-REEL | |
MMBTA42LT3G | ONSEMI |
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High Voltage Transistors | |
MMBTA42Q | DIODES |
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NPN, 300V, 0.5A, SOT23 | |
MMBTA42Q | YANGJIE |
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SOT-23 | |
MMBTA42-Q | NEXPERIA |
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NPN high-voltage transistorProduction | |
MMBTA42S62Z | TI |
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200mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB | |
MMBTA42T | FOSHAN |
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SOT-89 | |
MMBTA42T | RECTRON |
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Package / Case : SOT-89;Mounting Style : SMD/SMT;Power Rating : 0.35 W;Transistor Polarity | |
MMBTA42T/R | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, BIP General Purpose | |
MMBTA42-TP | MCC |
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NPN Silicon High Voltage Transistor |