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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.78 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBTA42LT1G_10 | ONSEMI |
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High Voltage Transistors |
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| MMBTA42LT1G_11 | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistors |
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| MMBTA42LT1HTSA1 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C |
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| MMBTA42LT1-TP | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI |
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| MMBTA42LT1XT | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C |
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| MMBTA42LT3 | ONSEMI |
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High Voltage NPN Bipolar Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 10000-REEL |
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| MMBTA42LT3G | ONSEMI |
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High Voltage Transistors |
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| MMBTA42Q | DIODES |
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NPN, 300V, 0.5A, SOT23 |
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| MMBTA42Q | YANGJIE |
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SOT-23 |
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| MMBTA42-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN high-voltage transistorProduction |
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