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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBTA42
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MMBTA42

更新时间： 2024-09-26 05:49:23
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器PC
页数 文件大小 规格书
4页 213K
描述
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(NPN)

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MMBTA42 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE 3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.08Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

MMBTA42 数据手册

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MMBTA42  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR(NPN)  
FEATURES  
* High breakdown voltage  
* Low collector-emitter saturation voltage  
* Complementary to MMBTA92 (NPN)  
SOT-23  
COLLECTOR  
3
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
1
BASE  
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
2
EMITTER  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
* Weight: 0.008 gram  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
RATINGS  
SYMBOL  
VALUE  
UNITS  
Collector Current-Continuous  
Collector Power Dissipation  
IC  
PC  
TJ  
0.3  
350  
150  
A
mW  
oC  
Max. Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TSTG  
oC  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS SYMBOL  
Collector-base breakdown voltage (I =100uA,I =0)  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
300  
300  
-
-
-
-
V
V
C
E
Collector-emitter breakdown voltage (I =1mA,I =0)  
C
B
Emitter-Base breakdown voltage (I =100uA,I =0)  
V(BR)EBO  
ICBO  
5
-
-
-
-
-
-
0.25  
0.1  
-
V
uA  
uA  
-
E
C
Collector cut-off current (V =200V,I =0)  
CB  
E
Emitter cut-off current (V =5V,I =0)  
IEBO  
-
EB  
C
hFE(1)  
60  
(V =10V,I =1mA)  
CE  
C
DC current gain  
(V =10V,I =10mA)  
hFE(2)  
hFE(3)  
100  
-
-
-
-
200  
-
-
-
CE  
C
60  
-
(V =10V,I =30mA)  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage (I =20mA,I =2mA)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
0.2  
0.9  
V
V
C
B
Base-emitter saturation voltage (I =20mA,I =2mA)  
-
C
B
Transition frequency (V =20V,I =10mA,f=30MHz)  
fT  
50  
-
-
MHz  
CE  
C
Note: "Fully ROHS Complant", "100% Sn plating (Pb-free)".  
2007-5  
1234

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MMBTA42 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FMMT497TA DIODES

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 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
DN350T05-7 DIODES

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 NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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