Datasheet > MMBTA28TFS-T

MMBTA28TFS-T

更新时间： 2024-11-13 20:10:19

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	396K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMBTA28TFS-T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	125 MHz
Base Number Matches：	1

MMBTA28TFS-T 数据手册

MMBTA28TFS

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

High Current Gain

MARKING: 3S

SOT 346

MAXIMUM RATINGS (T_a=25 unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Unit

1. BASE

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Collector Current

500

200

625

℃/W

℃

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

P_C

R_ΘJA

T_j

-55~+150

-55 +150

Storage Temperature

T_stg

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25 unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_(BR)CBO

I_C=100μA, I_E=0

Collector-base breakdown voltage

V_CEO(sus)

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C=100μA, V_BE=0

I_E=10μA, I_C=0

Collector-emitter sustain voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_CB=60V, I_E=0

0.1

0.5

0.1

μA

I_CES

V_CE=60V, V_BE=0

V_EB=10V, I_C=0

Collector cut-off current

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE=5V, I_C=10mA

V_CE=5V, I_C=100mA

I_C=10mA, I_B=0.01mA

I_C=100mA, I_B=0.1mA

V_CE=5V, I_C=100mA

V_CB=1V, I_E=0, f=1MHz

V_CE=5V,I_C=10mA,

f=100MHz

DC current gain

V_CE(sat)1

V_CE(sat)2

V_BE*

1.2

1.5

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

C_ob

Collector output capacitance

f_T

125

MHz

Transition frequency

*Pulse test: pulse width ≤300ꢀs,duty cycle≤ 2.0%.

2019-04/17

REV:O

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与MMBTA28TFS-T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTA28-TP-HF	MCC	获取价格	暂无描述
MMBTA29	UTC	获取价格	NPN
MMBTA42	PANJIT	获取价格	NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MMBTA42	TAITRON	获取价格	SMD High Voltage Transistor (NPN)
MMBTA42	NXP	获取价格	NPN high-voltage transistor
MMBTA42	STMICROELECTRONICS	获取价格	SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
MMBTA42	NEXPERIA	获取价格	NPN high-voltage transistorProduction
MMBTA42	TRSYS	获取价格	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBTA42	ZOWIE	获取价格	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON
MMBTA42	DIODES	获取价格	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR