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MMBTA42

更新时间: 2024-09-25 22:54:39
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KEC 晶体晶体管光电二极管高压放大器PC局域网电话
页数 文件大小 规格书
2页 291K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE, TELEPHONE)

MMBTA42 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.09Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.225 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
Base Number Matches:1

MMBTA42 数据手册

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