MMBTA42

更新时间： 2024-02-12 16:23:29

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管光电二极管高压放大器 PC
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描述
NPN Silicon High Voltage Transistor

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MMBTA42 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.01
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

MMBTA42 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

MMBTA42

Features

Surface Mount SOT-23 Package

NPN Silicon High

Voltage Transistor

Capable of 300mWatts of Power Dissipation

Pin Configuration

Top View

1 D

SOT-23

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

(I_C=1.0mAdc, I_B=0)

300

6.0

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100mAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=100mAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=200Vdc, I_E=0)

Vdc

0.1

uAdc

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_E^B=6.0Vdc, I_C=0)

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain*

DIMENSIONS

(I_C=1.0mAdc, V_CE=10Vdc)

(I_C=10mAdc, V_CE=10Vdc)

(I_C=30mAdc, V_CE=10Vdc)

INCHES

MIN

----

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

V_CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=20mAdc, I_B=2.0mAdc)

0.5

Vdc

.100

1.12

.180

.51

V_BE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=20mAdc, I_B=2.0mAdc)

0.9

.085

.37

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

Suggested Solder

Pad Layout

f_T

Current Gain-Bandwidth Product

(I_C=10mAdc, V_CE=20Vdc, f=100MHz)

Collector-Emitter Capacitance

(V_CB=20Vdec, I_E=0, f=1.0MHz)

MHz

C_cb

.031

.800

3.0

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

.035

.900

Symbol

Max

Unit

.079

2.000

inches

(1)

225

Total Device Dissipation FR–5 Board,

T = 25°C

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

.037

.950

Total Device Dissipation

Alumina Substrate, T = 25°C

.037

.950

(2)

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

417

T , T

–55 to +150

stg

*Pulse Width £ 300ms, Duty Cycle£ 2.0%

www.mccsemi.com

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MMBTA42_15	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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