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MMBTA06_D87Z PDF预览

MMBTA06_D87Z

更新时间： 2024-11-17 14:53:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 199K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FREE, SOT-23, 3 PIN

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MMBTA06_D87Z 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.08最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

MMBTA06_D87Z 数据手册

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March 2011  
MPSA06 / MMBTA06 / PZTA06  
NPN General Purpose Amplifier  
Features  
• This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA.  
• Sourced from Process 33.  
MMBTA06  
PZTA06  
MPSA06  
C
C
E
E
C
B
TO-92  
SOT-23  
Mark:1G  
SOT-223  
B
EBC  
Absolute Maximum Ratings * Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Collector-Emitter Voltage  
Value  
Units  
V
80  
80  
Collector-Base Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
4.0  
V
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
500  
mA  
°C  
TJ, Tstg  
- 55 to +150  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle  
operations.  
Thermal Characteristics Ta = 25°C unless otherwise noted  
Max.  
Symbol  
Parameter  
Units  
MPSA06  
*MMBTA06  
**PZTA06  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
625  
5.0  
350  
2.8  
1,000  
8.0  
mW  
mW/°C  
PD  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
83.3  
200  
°C/W  
°C/W  
357  
125  
* Device mounted on FR-4 PCB 1.6” × 1.6” × 0.06”.  
** Device mounted on FR-4 PCB 36mm × 18mm × 1.5mm; mounting pad for the collector lead min. 6cm2.  
© 2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
www.fairchildsemi.com  
MPSA06 / MMBTA06 / PZTA06 Rev. B0  
1
12345

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MMBTA06_D87Z 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PMBTA06,215 NXP

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 PMBTA06 - NPN general purpose transistor TO-236 3-Pin
MMBTA06LT3G ONSEMI

功能相似

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MMBTA06-7-F DIODES

功能相似

 NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与MMBTA06_D87Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBTA06-3L BL Galaxy Electrical

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 		80V,0.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
MMBTA06-7 DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
MMBTA06-7-F DIODES

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 		NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBTA06-AE3-R UTC

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 		AMPLIFIER TRANSISTOR
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