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MMBTA06LT1

更新时间： 2024-02-22 17:17:11

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乐山 - LRC		晶体晶体管驱动
页数	文件大小	规格书
2页	52K
描述
Driver Transistors(NPN Silicon)

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MMBTA06LT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	4 weeks
风险等级：	5.62	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

MMBTA06LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Driver Transistors

NPN Silicon

MMBTA05LT1

MMBTA06LT1

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Value

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

MMBTA05 MMBTA06

Unit

Vdc

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

Vdc

4.0

Vdc

500

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P _D

225

1.8

mW/°C

°C/W

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R _θJA

P _D

556

300

2.4

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

mW/°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

417

°C/W

T _J, T _stg

–55 to +150

°C

DEVICE MARKING

MMBTA05LT1 = 1H, MMBTA06LT1 = 1GM

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage(3)

V _(BR)CEO

Vdc

(I _C= 1.0 mAdc, I _B= 0)

MMBTA05

—

MMBTA06

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= 100 µAdc, I _C= 0)

V _(BR)EBO

I _CES

4.0

Vdc

µAdc

Collector Cutoff Current

( V _CE= 60Vdc, I _B= 0)

—

0.1

Emitter Cutoff Current

I _CBO

( V _CB= 60Vdc, I _E= 0)

MMBTA05

MMBTA06

—

0.1

( V _CB= 80Vdc, I _E= 0)

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

3. Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle

< 2.0%.

M25–1/2

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MMBTA06LT1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SMMBTA06LT1G	ONSEMI	功能相似	Driver Transistors
MMBTA06LT1G	ONSEMI	功能相似	Driver Transistors NPN Silicon
MMBTA06-7-F	DIODES	功能相似	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与MMBTA06LT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTA06LT1G	ONSEMI	获取价格	Driver Transistors NPN Silicon
MMBTA06LT3	ONSEMI	获取价格	500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
MMBTA06LT3G	ONSEMI	获取价格	Driver Transistors
MMBTA06Q	DIODES	获取价格	NPN, 80V, 0.5A, SOT23
MMBTA06Q	YANGJIE	获取价格	SOT-23
MMBTA06Q-7-F	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN,
MMBTA06-S00Z	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
MMBTA06S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
MMBTA06-T	MCC	获取价格	Transistor
MMBTA06-T	RECTRON	获取价格	Transistor

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