是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.08 |
最大集电极电流 (IC): | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 100 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | NPN | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 100 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBTA06-G | WEITRON |
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Transistor | |
MMBTA06G-AE3-R | UTC |
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AMPLIFIER TRANSISTOR | |
MMBTA06-GS08 | VISHAY |
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Transistor | |
MMBTA06-GS18 | VISHAY |
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Transistor | |
MMBTA06HE3 | MCC |
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Tape&Reel:3Kpcs/Reel; | |
MMBTA06L-AE3-R | UTC |
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AMPLIFIER TRANSISTOR | |
MMBTA06LT1 | MOTOROLA |
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Driver Transistors | |
MMBTA06LT1 | ONSEMI |
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Driver Transistors(NPN Silicon) | |
MMBTA06LT1 | LRC |
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Driver Transistors(NPN Silicon) | |
MMBTA06LT1 | SILICON |
获取价格 |
Evaluation Board Rev 5.0 for the Si2493/57/34/15/04 |