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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBTA06-TP
MMBTA06-TP PDF预览

MMBTA06-TP

更新时间： 2024-02-01 16:42:53
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体放大器小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 480K
描述
NPN Small Signal General Purpose Amplifier Transistors

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MMBTA06-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.08
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

MMBTA06-TP 数据手册

 浏览型号MMBTA06-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBTA06-TP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBTA06-TP的Datasheet PDF文件第4页 
MMBTA05  
THRU  
MMBTA06  
M C C  
Micro Commercial Components  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
•
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
NPN Small Signal  
General Purpose  
Complementary PNP Types Available (MMBTA55/MMBTA56)  
Ideal for Medium Power Amplification and Switching.  
•
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability  
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1  
Marking: MMBTA05:1H/K1H  
Amplifier Transistors  
x
MMBTA06:1GM/K1G  
SOT-23  
A
D
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
MMBTA05  
Rating  
Unit  
C
60  
80  
V
B
C
MMBTA06  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
MMBTA05  
60  
80  
4.0  
500  
300  
V
MMBTA06  
E
B
F
E
VEBO  
IC  
PD  
RθJA  
TJ  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Power Dissipation*  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating Junction Temperature  
V
mA  
mW  
K/W  
R
357  
H
G
J
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
K
Electrical Characteristics @ 25R Unless Otherwise Specified  
Max  
DIMENSIONS  
Symbol  
Parameter  
Min  
Units  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
MAX  
NOTE  
OFF CHARACTERISTICS  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
B
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
C
D
E
Vdc  
Vdc  
MMBTA05  
MMBTA06  
60  
80  
---  
---  
1.78  
.45  
F
V(BR)EBO  
ICBO  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100µAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=60Vdc, IE=0) MMBTA05  
(VCB=80Vdc, IE=0) MMBTA06  
Emitter Cutoff Current  
G
H
J
.013  
.89  
.100  
1.12  
.180  
.51  
4.0  
---  
.085  
.37  
K
---  
---  
0.1  
0.1  
µAdc  
µAdc  
Suggested Solder  
Pad Layout  
ICES  
(VCE=60Vdc, IB=0) MMBTA05  
(VCE=80Vdc, IB=0) MMBTA06  
---  
---  
0.1  
0.1  
µAdc  
µAdc  
.031  
.800  
ON CHARACTERISTICS  
.035  
.900  
hFE  
DC Current Gain  
(VCE=1.0Vdc, IC=10mAdc)  
(VCE=1.0Vdc, IC=100mAdc)  
100  
100  
---  
---  
.079  
2.000  
inches  
mm  
VCE(sat)  
VBE(on)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=100mAdc, IB=10mAdc)  
Base-Emitter On Voltage  
(IC=100mAdc, IB=10mAdc)  
Current-Gain—Bandwidth Product  
(IC=10mAdc, VCE=2.0Vdc, f=100MHz)  
---  
---  
0.25  
1.2  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
.037  
.950  
100  
.037  
.950  
* Valid provided that terminals are kept at ambient temperature..  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision:9  
2008/11/09  
1234

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MMBTA06-TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBTA06-7 DIODES

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
MMBTA06LT3 ONSEMI

类似代替

 500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
MMBTA06LT1G ONSEMI

功能相似

 Driver Transistors NPN Silicon

与MMBTA06-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBTA06-TP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
MMBTA06W ONSEMI

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 		Driver Transistor
MMBTA06W PANJIT

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 		SOT-323
MMBTA06W SWST

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 		小信号晶体管
MMBTA06WT1 ONSEMI

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MMBTA06WT1G ONSEMI

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 		Driver Transistor NPN Silicon
MMBTA0XLT1 WILLAS

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MMBTA10 SEMTECH

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MMBTA10 SWST

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 		小信号晶体管
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 		NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

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