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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.08 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 0.225 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBTA56LT1G | ONSEMI |
功能相似  |
Driver Transistors PNP Silicon |
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| MMBTA06LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Driver Transistors NPN Silicon |
|
| MMBTA06-7-F | DIODES |
功能相似 |
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBTA06LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistors NPN Silicon |
|
| MMBTA06LT3 | ONSEMI |
获取价格 |
500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
|
| MMBTA06LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistors |
|
| MMBTA06Q | DIODES |
获取价格 |
NPN, 80V, 0.5A, SOT23 |
|
| MMBTA06Q | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| MMBTA06Q-7-F | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN, |
|
| MMBTA06-S00Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
|
| MMBTA06S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| MMBTA06-T | MCC |
获取价格 |
Transistor |
|
| MMBTA06-T | RECTRON |
获取价格 |
Transistor |
|
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