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MMBTA13 PDF预览

MMBTA13

更新时间： 2024-02-05 22:28:23
品牌 Logo 应用领域
金誉半导体 - HTSEMI 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 640K
描述
TRANSISTOR (NPN)

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MMBTA13 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.14最大集电极电流 (IC)：0.3 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：10000JESD-30 代码：R-PDSO-G3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：125 MHz最大关闭时间（toff）：285 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

MMBTA13 数据手册

 浏览型号MMBTA13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBTA13的Datasheet PDF文件第3页 
MMBTA13,14  
TRANSISTOR (NPN)  
SOT-23  
FEATURES  
Darlington Amplifier  
1. BASE  
Marking : MMBTA13:K2D; MMBTA14:K3D  
2. EMITTER  
3. COLLECTOR  
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Value  
Units  
V
30  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
30  
V
10  
V
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction Temperature  
0.3  
A
PC  
300  
mW  
℃/W  
℃
RθJA  
TJ  
417  
150  
Tstg  
Storage Temperature  
-55 to +150  
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
MIN  
MAX  
UNIT  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
30  
30  
10  
V
V
IC= 100μA, IE=0  
IC= 100uA, IB=0  
IE= 100μA, IC=0  
VCB=30 V , IE=0  
V
ICBO  
IEBO  
hFE(1)  
*
0.1  
0.1  
μA  
μA  
Emitter cut-off current  
*
VEB= 10V ,  
IC=0  
VCE=5V, IC= 10mA  
MMBTA13  
5000  
MMBTA14 10000  
MMBTA13 10000  
MMBTA14 20000  
*
*
DC current gain  
VCE=5V, IC= 100mA  
hFE(2)  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
VBE  
fT  
*
IC=100mA, IB=0.1mA  
IC=100mA, IB=0.1mA  
VCE=5V,IC= 100mA  
1.5  
2
V
V
V
*
*
2.0  
VCE=5V, IC= 10mA  
Transition frequency  
125  
MHz  
pF  
f=100MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB=10V,IE=0,f=1MHz  
12  
* Pulse Test : pulse width≤300μs,duty cycle≤2%.  
1
JinYu  
semiconductor  
www.htsemi.com  
Date:2011/05  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBTA13_08 MCC

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MMBTA13_15 UTC

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MMBTA13_NL FAIRCHILD

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 		暂无描述
MMBTA13-13 DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
MMBTA13-3L BL Galaxy Electrical

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 		30V,0.3A,General Purpose NPN Bipolar Transistor

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