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MMBTA13

更新时间： 2024-02-03 18:41:28

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江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	408K
描述
TRANSISTOR（NPN）

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MMBTA13 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.14	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	10000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	125 MHz	最大关闭时间（toff）：	285 ns
最大开启时间（吨）：	35 ns	Base Number Matches：	1

MMBTA13 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT— 23

1. BASE

MMBTA13，14

FEATURES

TRANSISTOR（NPN）

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Power dissipation

2.4

P_CM

0.3W（Tamb=25℃）

1.3

Collector current

I_CM:

0.3A

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: 30V

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150

Unit : mm

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= 100μA， I_E=0

Ic= 100uA， I_B=0

I_E= 100μA， I_c=0

V_CB=30 V , I_E=0

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

I_CBO

0.1

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= 10V , I_C=0

V_CE=5V, I_C= 10mA

MMBTA13 5000

MMBTA14 10000

MMBTA13 10000

MMBTA14 20000

h_FE(1)

DC current gain

V_CE=5V, I_C= 100mA

h_FE(2)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_{CE (sat)}

I_C=100 mA, I_B=0.1mA

V_CE=5V, I_C= 100mA

1.5

2.0

V_BE

V_CE=5V, I = 10mA

Transition frequency

f_T

125

MHz

f=100MHz

* Pulse Test : pulse width≤ 300μs，duty cycle≤ 2%。

Marking : MMBTA13:1M；MMBTA14：1N

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MMBTA13_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
MMBTA13-13	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
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