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MMBTA06-T PDF预览

MMBTA06-T

更新时间： 2024-09-26 19:58:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 98K
描述
Transistor

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MMBTA06-T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.68JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

MMBTA06-T 数据手册

 浏览型号MMBTA06-T的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
MMBTA05  
THRU  
MMBTA06  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
NPN Small Signal  
General Purpose  
Amplifier Transistors  
Complementary PNP Types Available (MMBTA55/MMBTA56)  
Ideal for Medium Power Amplification and Switching.  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
x
Marking: MMBTA05:1H/K1H/B05  
x
MMBTA06:1GM/K1G/B06  
SOT-23  
A
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
D
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
MMBTA05  
Rating  
Unit  
C
60  
80  
V
B
C
MMBTA06  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
MMBTA05  
60  
80  
4.0  
500  
300  
V
E
B
MMBTA06  
F
E
VEBO  
IC  
PD  
RθJA  
TJ  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Power Dissipation*  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating Junction Temperature  
V
mA  
mW  
K/W  
R
357  
H
G
J
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
K
Electrical Characteristics @ 25R Unless Otherwise Specified  
Max  
DIMENSIONS  
Symbol  
Parameter  
Min  
Units  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
NOTE  
OFF CHARACTERISTICS  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
Vdc  
Vdc  
MMBTA05  
MMBTA06  
60  
80  
---  
---  
F
V(BR)EBO  
ICBO  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100µAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=60Vdc, IE=0) MMBTA05  
(VCB=80Vdc, IE=0) MMBTA06  
Emitter Cutoff Current  
G
H
J
4.0  
---  
.085  
.37  
K
---  
---  
0.1  
0.1  
µAdc  
µAdc  
Suggested Solder  
Pad Layout  
ICES  
(VCE=60Vdc, IB=0) MMBTA05  
(VCE=80Vdc, IB=0) MMBTA06  
---  
---  
0.1  
0.1  
µAdc  
µAdc  
.031  
.800  
ON CHARACTERISTICS  
.035  
.900  
hFE  
DC Current Gain  
(VCE=1.0Vdc, IC=10mAdc)  
(VCE=1.0Vdc, IC=100mAdc)  
100  
100  
---  
---  
.079  
2.000  
inches  
mm  
VCE(sat)  
VBE(on)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=100mAdc, IB=10mAdc)  
Base-Emitter On Voltage  
(IC=100mAdc, IB=10mAdc)  
Current-Gain—Bandwidth Product  
(IC=10mAdc, VCE=2.0Vdc, f=100MHz)  
---  
---  
0.25  
1.2  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
.037  
.950  
100  
.037  
.950  
* Valid provided that terminals are kept at ambient temperature..  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: 6  
2007/10/11  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBTA06-TP MCC

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