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MMBTA06-TP-HF

更新时间： 2024-11-20 19:43:59

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美微科 - MCC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	695K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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MMBTA06-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.08
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA06-TP-HF 数据手册

MMBTA05

THRU

MMBTA06

M C C

Micro Commercial Components

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Epitaxial Planar Die Construction

•

NPN Small Signal

General Purpose

Amplifier Transistors

Complementary PNP Types Available (MMBTA55/MMBTA56)

Ideal for Medium Power Amplification and Switching.

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

SOT-23

Marking:

MMBTA05:1H/K1H

MMBTA06:1GM/K1G

Maximum Ratings

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

MMBTA05

MMBTA06

V_CBO

Collector-Base Voltage

MMBTA05

4.0

500

300

MMBTA06

V_EBO

I_C

P_D

R_θJA

T_J

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Power Dissipation*

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating Junction Temperature

K/W

357

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25R Unless Otherwise Specified

Max

DIMENSIONS

Symbol

Parameter

Min

Units

INCHES

DIM

MIN

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

MAX

NOTE

OFF CHARACTERISTICS

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.104

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=1.0mAdc, I_B=0)

Vdc

MMBTA05

MMBTA06

---

1.78

.45

V_(BR)EBO

I_CBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=100µAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=60Vdc, I_E=0) MMBTA05

(V_CB=80Vdc, I_E=0) MMBTA06

Emitter Cutoff Current

.013

.89

.100

1.12

.180

.51

4.0

---

.085

.37

---

0.1

µAdc

Suggested Solder

Pad Layout

I_CES

(V_CE=60Vdc, I_B=0) MMBTA05

(V_CE=80Vdc, I_B=0) MMBTA06

---

0.1

µAdc

.031

.800

ON CHARACTERISTICS

.035

.900

h_FE

DC Current Gain

(V_CE=1.0Vdc, I_C=10mAdc)

(V_CE=1.0Vdc, I_C=100mAdc)

100

---

.079

2.000

inches

V_CE(sat)

V_BE(on)

f_T

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=100mAdc, I_B=10mAdc)

Base-Emitter On Voltage

(I_C=100mAdc, IB=10mAdc)

Current-Gain—Bandwidth Product

(I_C=10mAdc, V_CE=2.0Vdc, f=100MHz)

---

0.25

1.2

---

Vdc

MHz

.037

.950

100

.037

.950

* Valid provided that terminals are kept at ambient temperature..

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: B

2013/01/01

12 3 4

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MMBTA06W	PANJIT	获取价格	SOT-323
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MMBTA06WT1	ONSEMI	获取价格	Driver Transistor NPN Silicon
MMBTA06WT1G	ONSEMI	获取价格	Driver Transistor NPN Silicon
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MMBTA10	SEMTECH	获取价格	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
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