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MMBTA13

更新时间: 2024-11-19 14:53:03
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先科 - SWST 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 666K
描述
达林顿三极管

MMBTA13 数据手册

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MMBTA13  
NPN Silicon Epitaxial Planar Darlington Transistor  
1.Base 2.Emitter 3.Collector  
SOT-23 Plastic Package  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCES  
VEBO  
IC  
Value  
Unit  
V
30  
30  
10  
V
V
Collector Current  
500  
mA  
mW  
Power Dissipation  
Ptot  
350  
O
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tj  
150  
C
O
TStg  
- 55 to + 150  
C
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
357  
Unit  
/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient 1)  
1) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
®
1 / 4  
Dated: 26/05/2022 Rev: 03  

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