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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBTA06HE3 | MCC |
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Tape&Reel:3Kpcs/Reel; |
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| MMBTA06L-AE3-R | UTC |
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AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| MMBTA06LT1 | MOTOROLA |
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Driver Transistors |
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| MMBTA06LT1 | ONSEMI |
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Driver Transistors(NPN Silicon) |
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| MMBTA06LT1 | LRC |
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Driver Transistors(NPN Silicon) |
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| MMBTA06LT1 | SILICON |
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Evaluation Board Rev 5.0 for the Si2493/57/34/15/04 |
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| MMBTA06LT1 | HC |
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SOT-23 |
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| MMBTA06LT1G | ONSEMI |
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Driver Transistors NPN Silicon |
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| MMBTA06LT3 | ONSEMI |
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500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
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| MMBTA06LT3G | ONSEMI |
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Driver Transistors |
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