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MMBTA06-AE3-R

更新时间: 2024-01-07 03:41:18
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友顺 - UTC 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 116K
描述
AMPLIFIER TRANSISTOR

MMBTA06-AE3-R 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.08
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

MMBTA06-AE3-R 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
MMBTA06  
NPN SILICON TRANSISTOR  
AMPLIFIER TRANSISTOR  
FEATURES  
3
* Collector-Emitter Voltage: VCEO=80V  
* Collector Dissipation: PD=350mW  
1
2
SOT-23  
*Pb-free plating product number: MMBTA06L  
ORDERING INFORMATION  
Order Number  
Pin Assignment  
Package  
SOT-23  
Packing  
Normal  
Lead Free Plating  
MMBTA06L-AE3-R  
1
2
3
MMBTA06-AE3-R  
E
B
C
Tape Reel  
MMBTA06L-AE3-R  
(1)Packing Type  
(2)Package Type  
(3)Lead Plating  
(1) R: Tape Reel  
(2) AE3: SOT-23  
(3) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn  
MARKING  
1G  
www.unisonic.com.tw  
Copyright © 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd  
1 of 5  
QW-R206-041,B  

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