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MMBTA06-GS08

更新时间: 2024-11-17 19:50:11
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 82K
描述
Transistor

MMBTA06-GS08 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88最大集电极电流 (IC):0.5 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.3 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

MMBTA06-GS08 数据手册

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MMBTA06-GS08 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT2484LT1G ONSEMI

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MMBTA06LT1G ONSEMI

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MMBT6429LT1G ONSEMI

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与MMBTA06-GS08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBTA06-GS18 VISHAY

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Transistor
MMBTA06HE3 MCC

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Tape&Reel:3Kpcs/Reel;
MMBTA06L-AE3-R UTC

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AMPLIFIER TRANSISTOR
MMBTA06LT1 MOTOROLA

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Driver Transistors
MMBTA06LT1 ONSEMI

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Driver Transistors(NPN Silicon)
MMBTA06LT1 LRC

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Driver Transistors(NPN Silicon)
MMBTA06LT1 SILICON

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Evaluation Board Rev 5.0 for the Si2493/57/34/15/04
MMBTA06LT1 HC

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SOT-23
MMBTA06LT1G ONSEMI

获取价格

Driver Transistors NPN Silicon
MMBTA06LT3 ONSEMI

获取价格

500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN