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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBFJ210S62Z | TI |
获取价格 |
Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB |
|
| MMBFJ211 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel RF Amplifier |
|
| MMBFJ211 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 RF 晶体管 |
|
| MMBFJ211D87Z | TI |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL |
|
| MMBFJ211L99Z | TI |
获取价格 |
Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB |
|
| MMBFJ212 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel RF Amplifier |
|
| MMBFJ212D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| MMBFJ212L99Z | TI |
获取价格 |
Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB |
|
| MMBFJ212S62Z | TI |
获取价格 |
Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB |
|
| MMBFJ270 | PANJIT |
获取价格 |
P-CHANNEL SWITCH |
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