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MMBFJ177D87Z

更新时间： 2024-11-27 03:12:19

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
12页	492K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, SOT-23, 3 PIN

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MMBFJ177D87Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.11	配置：	SINGLE
最大漏源导通电阻：	300 Ω	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MMBFJ177D87Z 数据手册

MMBFJ175

MMBFJ176

MMBFJ177

J174

J175

J176

J177

TO-92

SOT-23

Mark: 6W / 6X / 6Y

NOTE: Source & Drain

are interchangeable

P-Channel Switch

This device is designed for low level analog switching sample and hold

circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from Process 88.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_DG

Drain-Gate Voltage

Gate-Source Voltage

Forward Gate Current

- 30

V_GS

I_GF

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J,T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

J174 -177

*MMBFJ175-177

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

350

2.8

125

225

1.8

mW/°C

°C/W

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

357

556

°C/W

*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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