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MMBFJ177LT3 PDF预览

MMBFJ177LT3

更新时间： 2024-11-26 18:49:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 斩波器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 111K
描述
P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN

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MMBFJ177LT3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.1配置：SINGLE
最大漏源导通电阻：300 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：5.5 pFJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：CHOPPER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBFJ177LT3 数据手册

  
ON Semiconductort  
JFET Chopper  
P–Channel – Depletion  
MMBFJ177LT1  
3
1
2
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
25  
Unit  
Vdc  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 10  
SOT–23 (TO–236AB)  
Drain–Gate Voltage  
V
DG  
Reverse Gate–Source Voltage  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
V
GS(r)  
–25  
2 SOURCE  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
3
Total Device Dissipation FR–5 Board  
T = 25°C  
A
P
D
225  
mW  
GATE  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
q
JA  
1 DRAIN  
T , T  
–55 to +150  
J
stg  
MMBFJ177LT1 = 6Y  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Gate–Source Breakdown Voltage  
V
30  
–
–
Vdc  
nAdc  
Vdc  
(BR)GSS  
(V = 0, I = 1.0 µAdc)  
DS  
D
Gate Reverse Current  
(V = 0 Vdc, V = 20 Vdc)  
I
1.0  
2.5  
GSS  
DS  
GS  
Gate Source Cutoff Voltage  
(V = 15 Vdc, I = 10 nAdc)  
V
0.8  
GS(off)  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
(2)  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
I
1.5  
–
20  
1.0  
300  
mAdc  
nAdc  
Ω
DSS  
(V = 0, V = 15 Vdc)  
GS  
DS  
Drain Cutoff Current  
(V = 15 Vdc, V = 10 Vdc)  
I
D(off)  
DS  
GS  
Drain Source On Resistance  
r
–
DS(on)  
(I = 500 µAdc)  
D
Input Capacitance  
C
–
–
11  
pF  
iss  
V
DS  
= 0, V = 10 Vdc  
f = 1.0 MHz  
GS  
Reverse Transfer Capacitance  
C
5.5  
rss  
1. FR–5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 µs, Duty Cycle ≤ 2%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
530  
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 1  
MMBFJ177LT1/D  
1

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