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MMBFJ202 PDF预览

MMBFJ202

更新时间： 2023-09-03 20:36:41
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器PC光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 215K
描述
N 沟道通用放大器

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MMBFJ202 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73Is Samacsys：N
配置：SINGLEFET 技术：JUNCTION
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBFJ202 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
N-Channel General-Purpose  
Amplifier  
3
3
1
1
MMBFJ201, MMBFJ202  
2
2
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318−08  
SOT−23  
CASE 318BM  
Description  
This device is designed primarily for low level audio  
and general−purpose applications with high impedance signal sources.  
Sourced from process 52.  
2
Source  
Applications  
3
Gate  
These are Pb−Free Devices  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise noted)  
A
1
(Note 1, 2)  
Drain  
Symbol  
Parameter  
Drain−Gate Voltage  
Value  
40  
Unit  
V
V
V
DG  
GS  
GF  
MARKING DIAGRAM  
Gate−Source Voltage  
−40  
V
I
Forward Gate Current  
50  
mA  
C  
62xM  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to 150  
J
STG  
1
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150C.  
2. These are steady−state limits. onsemi should be consulted on applications  
involving pulsed or low−duty−cycle operations.  
62x = Specific Device Code  
x
M
= P or Q  
= Date Code  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 4 of  
this data sheet.  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25C unless otherwise noted)  
A
(Note 3)  
Symbol  
Parameter  
Max  
350  
2.8  
Unit  
mW  
P
D
Total Device Dissipation  
Derate Above 25_C  
mW/C  
C/W  
R
Thermal Resistance,  
357  
q
JA  
Junction−to−Ambient  
3. Device mounted on FR−4 PCB 36 mm x 18 mm x 1.5 mm; mounting pad for  
2
the collector lead minimum 6 cm .  
Semiconductor Components Industries, LLC, 1997  
1
Publication Order Number:  
September, 2022 − Rev. 4  
MMBFJ202/D  
 
1234567

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MMBFJ202 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SST201-T1-E3 VISHAY

类似代替

 Transistor
SST204-T1-E3 VISHAY

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A

与MMBFJ202相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBFJ202D87Z TI

获取价格

 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBFJ202D87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
MMBFJ202L99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
MMBFJ202L99Z TI

获取价格

 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBFJ202S62Z TI

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 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBFJ203 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel General Purpose Amplifier
MMBFJ210 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel RF Amplifier
MMBFJ210D87Z TI

获取价格

 		RF SMALL SIGNAL
MMBFJ210L99Z TI

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 		Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB
MMBFJ210S62Z TI

获取价格

 		Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB

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