生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.67 |
配置: | SINGLE | FET 技术: | JUNCTION |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBFJ202S62Z | TI |
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N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB | |
MMBFJ203 | FAIRCHILD |
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N-Channel General Purpose Amplifier | |
MMBFJ210 | FAIRCHILD |
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N-Channel RF Amplifier | |
MMBFJ210D87Z | TI |
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RF SMALL SIGNAL | |
MMBFJ210L99Z | TI |
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Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB | |
MMBFJ210S62Z | TI |
获取价格 |
Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB | |
MMBFJ211 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel RF Amplifier | |
MMBFJ211 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 RF 晶体管 | |
MMBFJ211D87Z | TI |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL | |
MMBFJ211L99Z | TI |
获取价格 |
Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB |