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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.29 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBFJ202L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
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| MMBFJ202L99Z | TI |
获取价格 |
N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
|
| MMBFJ202S62Z | TI |
获取价格 |
N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
|
| MMBFJ203 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel General Purpose Amplifier |
|
| MMBFJ210 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel RF Amplifier |
|
| MMBFJ210D87Z | TI |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL |
|
| MMBFJ210L99Z | TI |
获取价格 |
Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB |
|
| MMBFJ210S62Z | TI |
获取价格 |
Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB |
|
| MMBFJ211 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel RF Amplifier |
|
| MMBFJ211 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 RF 晶体管 |
|
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