MMBFJ210

更新时间： 2024-02-29 06:12:52

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体射频放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管
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描述
N-Channel RF Amplifier

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MMBFJ210 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MMBFJ210 数据手册

MMBFJ210

MMBFJ211

MMBFJ212

J210

J211

J212

TO-92

SOT-23

Mark: 62V / 62W / 62X

NOTE: Source & Drain

are interchangeable

N-Channel RF Amplifier

This device is designed for HF/VHF mixer/amplifier and

applications where Process 50 is not adequate. Sufficient

gain and low noise for sensitive receivers. Sourced from

Process 90.

Absolute Maximum Ratings*

TA= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_DG

Drain-Gate Voltage

- 25

V_GS

Gate-Source Voltage

I_GF

Forward Gate Current

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J,T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA= 25°C unless otherwise noted

Max

Symbol

Characteristic

Units

J210-212

*MMBFJ210-212

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

350

2.8

125

225

1.8

mW/°C

°C/W

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

357

556

°C/W

*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

J210/J211/J212/MMBFJ210/J211/J212, Rev A

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