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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBFJ210D87Z | TI |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL |
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| MMBFJ210L99Z | TI |
获取价格 |
Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB |
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| MMBFJ210S62Z | TI |
获取价格 |
Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB |
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| MMBFJ211 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel RF Amplifier |
|
| MMBFJ211 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 RF 晶体管 |
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| MMBFJ211D87Z | TI |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL |
|
| MMBFJ211L99Z | TI |
获取价格 |
Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB |
|
| MMBFJ212 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel RF Amplifier |
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| MMBFJ212D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| MMBFJ212L99Z | TI |
获取价格 |
Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB |
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