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MMBFJ202 PDF预览

MMBFJ202

更新时间： 2024-11-25 22:27:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号场效应晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
13页 614K
描述
N-Channel General Purpose Amplifier

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MMBFJ202 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.24
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：989388Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：MMBFJ202Samacsys Released Date：2019-04-15 09:26:02
Is Samacsys：N配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTIONJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBFJ202 数据手册

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MMBFJ201  
MMBFJ202  
J201  
J202  
G
S
TO-92  
G
S
SOT-23  
Mark: 62P / 62Q  
NOTE: Source & Drain  
are interchangeable  
D
D
N-Channel General Purpose Amplifier  
This device is designed primarily for low level audio and general  
purpose applications with high impedance signal sources. Sourced  
from Process 52.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VDG  
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
40  
- 40  
V
V
VGS  
IGF  
50  
mA  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
TJ ,Tstg  
5
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
J202-203  
*MMBFJ202-203  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
125  
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
357  
556  
°C/W  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...13

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MMBFJ202 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBFJ202 ONSEMI

类似代替

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