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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MMBFJ177LT1
MMBFJ177LT1 PDF预览

MMBFJ177LT1

更新时间： 2024-01-14 01:21:53
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号场效应晶体管光电二极管斩波器
页数 文件大小 规格书
4页 61K
描述
JFET Chopper

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MMBFJ177LT1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.1
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最大漏源导通电阻：300 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：5.5 pFJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：CHOPPER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBFJ177LT1 数据手册

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by MMBFJ177LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
P–Channel — Depletion  
2 SOURCE  
3
GATE  
1 DRAIN  
3
1
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Drain–Gate Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
V
DG  
25  
CASE 318–08, STYLE 10  
SOT–23 (TO–236AB)  
Reverse Gate–Source Voltage  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
V
GS(r)  
–25  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBFJ177LT1 = 6Y  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Gate–Source Breakdown Voltage  
V
30  
—
—
Vdc  
nAdc  
Vdc  
(BR)GSS  
(V  
DS  
= 0, I = 1.0 µAdc)  
D
Gate Reverse Current  
(V = 0 Vdc, V  
I
1.0  
2.5  
GSS  
= 20 Vdc)  
GS  
DS  
Gate Source Cutoff Voltage  
(V = 15 Vdc, I = 10 nAdc)  
V
0.8  
GS(off)  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
(2)  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
I
1.5  
—
20  
1.0  
300  
mAdc  
nAdc  
Ω
DSS  
(V  
GS  
= 0, V  
= 15 Vdc)  
DS  
Drain Cutoff Current  
(V = 15 Vdc, V  
I
D(off)  
= 10 Vdc)  
GS  
DS  
Drain Source On Resistance  
(I = 500 µAdc)  
D
r
—
DS(on)  
Input Capacitance  
C
—
—
11  
pF  
iss  
V
DS  
= 0, V  
= 10 Vdc  
GS  
f = 1.0 MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
C
5.5  
rss  
1. FR–5 = 1.0  
0.75 0.062 in.  
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 µs, Duty Cycle ≤ 2%.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Motorola, Inc. 1997  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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