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MMBD6050LT3G

更新时间： 2024-11-12 05:49:19
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安森美 - ONSEMI 二极管开关
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3页 114K
描述
Switching Diode

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MMBD6050LT3G 数据手册

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MMBD6050LT1G  
Switching Diode  
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
http://onsemi.com  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
3
CATHODE  
1
ANODE  
Reverse Voltage  
Forward Current  
V
R
I
F
200  
mAdc  
Peak Forward Surge Current  
I
500  
mAdc  
FM(surge)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
3
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
1
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
2
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
A
Derate above 25°C  
mW/°C  
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
556  
°C/W  
STYLE 8  
Total Device Dissipation Alumina  
P
D
Substrate, (Note 2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
MARKING DIAGRAM  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
5A M G  
G
1
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
5A = Device Code  
M
= Date Code*  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Rating  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
Symbol Min Max  
Unit  
V
R
70  
−
Vdc  
mAdc  
Vdc  
ORDERING INFORMATION  
(I  
= 100 mAdc)  
(BR)  
†
Device  
Package  
Shipping  
Reverse Voltage Leakage Current  
(V = 50 Vdc)  
R
I
F
−
0.1  
MMBD6050LT1G SOT−23 3,000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Forward Voltage  
I
FM(surge)  
(I = 1.0 mAdc)  
0.55 0.7  
0.85 1.1  
F
MMBD6050LT3G SOT−23 10,000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
(I = 100 mAdc)  
F
Reverse Recovery Time (Figure 1)  
I
F
−
4.0  
ns  
(I = I = 10 mAdc, I = 1.0 mAdc)  
F
R
R(REC)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Capacitance  
(V = 0 V)  
I
−
2.5  
pF  
FM(surge)  
R
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
August, 2009 − Rev. 5  
MMBD6050LT1/D  
 
123

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MMBD6050LT3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBD6050LT3 ONSEMI

完全替代

 70 V 开关二极管
MMBD6050LT1G ONSEMI

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 Switching Diode
MMBD6050LT1 ONSEMI

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 Switching Diode

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