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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MMBD6050LT3
MMBD6050LT3 PDF预览

MMBD6050LT3

更新时间： 2024-11-13 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 114K
描述
70 V 开关二极管

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MMBD6050LT3 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.2配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240最大功率耗散：0.225 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

MMBD6050LT3 数据手册

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MMBD6050LT1G  
Switching Diode  
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
http://onsemi.com  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
3
CATHODE  
1
ANODE  
Reverse Voltage  
Forward Current  
V
R
I
F
200  
mAdc  
Peak Forward Surge Current  
I
500  
mAdc  
FM(surge)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
3
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
1
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
2
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
A
Derate above 25°C  
mW/°C  
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
556  
°C/W  
STYLE 8  
Total Device Dissipation Alumina  
P
D
Substrate, (Note 2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
MARKING DIAGRAM  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
5A M G  
G
1
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
5A = Device Code  
M
= Date Code*  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Rating  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
Symbol Min Max  
Unit  
V
R
70  
−
Vdc  
mAdc  
Vdc  
ORDERING INFORMATION  
(I  
= 100 mAdc)  
(BR)  
†
Device  
Package  
Shipping  
Reverse Voltage Leakage Current  
(V = 50 Vdc)  
R
I
F
−
0.1  
MMBD6050LT1G SOT−23 3,000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Forward Voltage  
I
FM(surge)  
(I = 1.0 mAdc)  
0.55 0.7  
0.85 1.1  
F
MMBD6050LT3G SOT−23 10,000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
(I = 100 mAdc)  
F
Reverse Recovery Time (Figure 1)  
I
F
−
4.0  
ns  
(I = I = 10 mAdc, I = 1.0 mAdc)  
F
R
R(REC)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Capacitance  
(V = 0 V)  
I
−
2.5  
pF  
FM(surge)  
R
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
August, 2009 − Rev. 5  
MMBD6050LT1/D  
 
123

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MMBD6050LT3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBD6050 ONSEMI

完全替代

 小信号二极管
MMBD6050LT3G ONSEMI

完全替代

 Switching Diode
MMBD6050LT1G ONSEMI

类似代替

 Switching Diode

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBD6050LT3G ONSEMI

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MMBD6050-V VISHAY

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