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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.26 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.7 V |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.225 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 70 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.004 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBD6100LT1 | ONSEMI |
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Monolithic Dual Switching Diode |
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| MMBD6100LT1 | LRC |
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Monolithic Dual Switching Diodes |
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| MMBD6100LT1 | MOTOROLA |
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Monolithic Dual Switching Diodes |
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| MMBD6100LT1_06 | ONSEMI |
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Monolithic Dual Switching Diode |
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| MMBD6100LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Monolithic Dual Switching Diode |
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| MMBD6100LT1G_09 | ONSEMI |
获取价格 |
Monolithic Dual Switching Diode |
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| MMBD6100LT3 | ONSEMI |
获取价格 |
Monolithic Dual Switching Diode |
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| MMBD6100LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Monolithic Dual Switching Diode |
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| MMBD6100-T1 | WTE |
获取价格 |
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
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| MMBD6100-T1-LF | WTE |
获取价格 |
暂无描述 |
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