生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.59 | Is Samacsys: | N |
配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.7 V |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
最大非重复峰值正向电流: | 0.5 A | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 0.2 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散: | 0.225 W |
最大重复峰值反向电压: | 70 V | 最大反向恢复时间: | 0.004 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBD6100LT1_06 | ONSEMI |
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Monolithic Dual Switching Diode | |
MMBD6100LT1G | ONSEMI |
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Monolithic Dual Switching Diode | |
MMBD6100LT1G_09 | ONSEMI |
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Monolithic Dual Switching Diode | |
MMBD6100LT3 | ONSEMI |
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Monolithic Dual Switching Diode | |
MMBD6100LT3G | ONSEMI |
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Monolithic Dual Switching Diode | |
MMBD6100-T1 | WTE |
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SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE | |
MMBD6100-T1-LF | WTE |
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暂无描述 | |
MMBD6100W | PANJIT |
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SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES | |
MMBD6100W_09 | PANJIT |
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SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES | |
MMBD6100W_13 | PANJIT |
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SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |