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MMBD6050LT1G PDF预览

MMBD6050LT1G

更新时间： 2024-11-12 05:49:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 114K
描述
Switching Diode

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MMBD6050LT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：TO-236, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.99
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40

MMBD6050LT1G 数据手册

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MMBD6050LT1G  
Switching Diode  
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
http://onsemi.com  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
3
CATHODE  
1
ANODE  
Reverse Voltage  
Forward Current  
V
R
I
F
200  
mAdc  
Peak Forward Surge Current  
I
500  
mAdc  
FM(surge)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
3
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
1
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
2
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
A
Derate above 25°C  
mW/°C  
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
556  
°C/W  
STYLE 8  
Total Device Dissipation Alumina  
P
D
Substrate, (Note 2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
MARKING DIAGRAM  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
5A M G  
G
1
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
5A = Device Code  
M
= Date Code*  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Rating  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
Symbol Min Max  
Unit  
V
R
70  
−
Vdc  
mAdc  
Vdc  
ORDERING INFORMATION  
(I  
= 100 mAdc)  
(BR)  
†
Device  
Package  
Shipping  
Reverse Voltage Leakage Current  
(V = 50 Vdc)  
R
I
F
−
0.1  
MMBD6050LT1G SOT−23 3,000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Forward Voltage  
I
FM(surge)  
(I = 1.0 mAdc)  
0.55 0.7  
0.85 1.1  
F
MMBD6050LT3G SOT−23 10,000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
(I = 100 mAdc)  
F
Reverse Recovery Time (Figure 1)  
I
F
−
4.0  
ns  
(I = I = 10 mAdc, I = 1.0 mAdc)  
F
R
R(REC)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Capacitance  
(V = 0 V)  
I
−
2.5  
pF  
FM(surge)  
R
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
August, 2009 − Rev. 5  
MMBD6050LT1/D  
 
123

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MMBD6050LT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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