5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MMBD6050LT1
MMBD6050LT1 PDF预览

MMBD6050LT1

更新时间： 2024-11-11 22:39:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
Switching Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMBD6050LT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.44配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：0.5 A
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

MMBD6050LT1 数据手册

 浏览型号MMBD6050LT1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBD6050LT1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBD6050LT1的Datasheet PDF文件第4页 
ON Semiconductort  
Switching Diode  
MMBD6050LT1  
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
1
Symbol  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
2
Reverse Voltage  
V
R
Forward Current  
I
200  
500  
mAdc  
mAdc  
F
CASE 318–08, STYLE 8  
SOT–23 (TO–236AB)  
Peak Forward Surge Current  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
FM(surge)  
3
1
Symbol  
Max  
Unit  
CATHODE  
ANODE  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
qJA  
P
D
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
qJA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBD6050LT1 = 5A  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage (I  
(BR)  
= 100 µAdc)  
V
70  
—
—
Vdc  
(BR)  
Reverse Voltage Leakage Current  
(V = 50 Vdc)  
R
I
R
0.1  
µAdc  
Forward Voltage  
V
F
Vdc  
(I = 1.0 mAdc)  
0.55  
0.85  
0.7  
1.1  
F
(I = 100 mAdc)  
F
Reverse Recovery Time  
t
rr  
—
4.0  
ns  
(I = I = 10 mAdc, I = 1.0 mAdc) (Figure 1)  
R(REC)  
F
R
Capacitance (V = 0 V)  
R
C
—
2.5  
pF  
1. FR–5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
November, 2001 – Rev. 3  
MMBD6050LT1/D  
1234

中文翻译

下载PDF

MMBD6050LT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBD6050 ONSEMI

类似代替

 小信号二极管
MMBD6050LT3G ONSEMI

类似代替

 Switching Diode
MMBD6050LT1G ONSEMI

类似代替

 Switching Diode

与MMBD6050LT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBD6050LT1G ONSEMI

获取价格

 		Switching Diode
MMBD6050LT3 MOTOROLA

获取价格

 		SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
MMBD6050LT3 ONSEMI

获取价格

 		70 V 开关二极管
MMBD6050LT3G ONSEMI

获取价格

 		Switching Diode
MMBD6050-T1 WTE

获取价格

 		SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
MMBD6050-TP MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
MMBD6050-V VISHAY

获取价格

 		Small Signal Switching Diode
MMBD6050-V_12 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Switching Diode
MMBD6050-V-GS08 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Switching Diode
MMBD6050-V-GS18 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Switching Diode

与MMBD6050LT1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证